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NP60P012D3
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:16V 电流:60A
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- 描述
- NP60P012D3采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP60P012D3
- 商品编号
- C2991137
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.572nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 670pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 745pF |
商品概述
NP4435CSR-D采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS = -12 V,ID = -60 A
- RDS(ON)(典型值) = 4.8 mΩ,VGS = -4.5 V
- RDS(ON)(典型值) = 6.3 mΩ,VGS = -2.5 V
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源