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NP20P03D6
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP20P03D6
- 商品编号
- C2991140
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
NP60P012D3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -20 A
- RDS(ON)(典型值) = 16 mΩ @VGS=-10V
- RDS(ON)(典型值) = 21 mΩ @VGS=-4.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 工作温度150 °C
- 100%经过UIS测试
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 不间断电源