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NP20P03D6
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- NP20P03D6 G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP20P03D6
- 商品编号
- C2991140
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
NP60P012D3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -12 V，ID = -60 A
- RDS(ON)（典型值） = 4.8 mΩ，VGS = -4.5 V
- RDS(ON)（典型值） = 6.3 mΩ，VGS = -2.5 V
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源