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NP35N04QR
N沟道 耐压:40V 电流:35A
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- 描述
- NP35N04QR采用独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP35N04QR
- 商品编号
- C2991151
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.577nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -10V、漏极电流（ID）为 -3.1A 时，导通电阻（RDS(ON)）<88mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -2.6A 时，导通电阻（RDS(ON)）<108mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制（PWM）应用等设计
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）