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NP45N03QR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP45N03QR

1个N沟道 耐压:30V 电流:45A

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描述
NP45N03采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。标准产品NP45N03为无铅产品(符合RoHS和索尼259规格)。
品牌名称
natlinear(南麟)
商品型号
NP45N03QR
商品编号
C2991149
商品封装
DFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.09克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.6nC@10V
输入电容(Ciss)1.317nF
反向传输电容(Crss)131pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)163pF

商品概述

NP6050G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 60 V,ID = 50 A
  • RDS(ON)(典型值) = 16.5 mΩ @VGS=10V
  • RDS(ON)(典型值) = 20.5 mΩ @VGS = 4.5 V
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 负载开关

数据手册PDF