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NP55N04D6
N沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- NP55N04D6采用了独特优化的沟槽技术，可实现最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP55N04D6
- 商品编号
- C2991152
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 30V P沟道MOSFET高密度设计。
- 超低导通电阻。
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 100 mΩ（典型值），栅源电压VGS = -10V
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 140 mΩ（典型值），栅源电压VGS = -4.5V
- 可靠耐用。
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统的电源管理及其他通用应用。