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NP60S04D6-Sn-G
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- NP60S04D6采用了SGT技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP60S04D6-Sn-G
- 商品编号
- C2991150
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
GL14P04-8采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。封装形式为SOP-8，符合RoHS标准。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 11 mΩ（典型值9 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 出色的封装，散热良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源