温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NP1216DR
P沟道 耐压:12V 电流:16A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NP1216DR采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP1216DR
- 商品编号
- C2991138
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.507nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 296pF |
商品概述
NP60S04D6采用了专为高效高频开关性能而优化的SGT技术。由于极低的漏源导通电阻和栅极电荷组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压 = 40 V，漏极电流 = 60 A
- 漏源导通电阻（典型值） = 5.9 mΩ @栅源电压 = 10V
- 漏源导通电阻（典型值） = 8.9 mΩ @栅源电压 = 4.5V
- 极低的漏源导通电阻
- 工作温度150 °C
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 工业和电机驱动应用