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NP3090G
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:90A 停产
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- 描述
- NP3090G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP3090G
- 商品编号
- C2991146
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.502克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.631nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP2018DR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 90 A
- 导通电阻(RDS(ON))(典型值) = 3.8 mΩ @ 栅源电压(VGS) = 10 V
- 导通电阻(RDS(ON))(典型值) = 6 mΩ @ 栅源电压(VGS) = 4.5 V
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 负载开关