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NP2060G
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- NP2060G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2060G
- 商品编号
- C2991142
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 482pF |
商品特性
- VDS = 20 V, \quad ID = 60 A
- RDS(ON)(典型值) = 4.8 m Ω @VGS=4.5V
- RDS(ON)(典型值) = 6.2 m Ω @ VGS = 2.5 V
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高 EAS 下具备良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源