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NP6003MR-N-G
60V, 3A, N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- NP6003MR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP6003MR-N-G
- 商品编号
- C2991132
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP4406SR采用沟槽MOSFET技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Crss组合，导通和开关损耗降至最低。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 13 A
- RDS(ON)（典型值） = 9.2 mΩ @ VGS = 10V
- RDS(ON)（典型值） = 12.2 mΩ @ VGS = 4.5V
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关