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STY105NM50N
N沟道 耐压:500V 电流:110A
- 描述
- 该器件是一款采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款具有创新性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY105NM50N
- 商品编号
- C2965313
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 326nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™ H5技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FoM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 最大247的最佳导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用