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STB9NK60ZT4
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
- 描述
- 这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，该技术通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。除了显著降低导通电阻外，这款器件还旨在为要求最苛刻的应用提供高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB9NK60ZT4
- 商品编号
- C2965333
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，通过对成熟的基于条带的PowerMESHTM布局进行优化实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还专为在最严苛的应用中确保高水平的dv/dt能力而设计。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
应用领域
- 开关应用