- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCTH100N65G2-7AG
汽车级碳化硅功率MOSFET，采用H2PAK-7封装，内置快速强健本征体二极管，低栅极电荷和输入电容，带源极感应引脚
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- 描述
- 汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mOhm（典型值，95 A），H2PAK-7封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTH100N65G2-7AG
- 商品编号
- C2965340
- 商品封装
- TO-263-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 耗散功率(Pd) | 360W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET器件采用ST的先进创新第二代SiC MOSFET技术开发，具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能，开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- AEC-Q101合格
- 非常快速且坚固的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 源极感应引脚以提高效率
应用领域
- 主逆变器（电力牵引）
- EV/HEV的DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）