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SCTW35N65G2V实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SCTW35N65G2V

SCTW35N65G2V

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描述
碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装
商品型号
SCTW35N65G2V
商品编号
C2965343
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)45A
耗散功率(Pd)240W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)73nC
输入电容(Ciss)1.37nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+200℃
导通电阻(RDS(on))67mΩ

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