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SD2931-10W
N通道MOSFET,电流:20A,耐压:125V
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- 描述
- 150W - 50V HF/VHF DMOS晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SD2931-10W
- 商品编号
- C2965413
- 商品封装
- M174
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用