STW26NM50
1个N沟道 耐压:500V 电流:30A
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STW26NM50商品编号
C2965495商品封装
TO-247-3包装方式
编带
商品毛重
4.58克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,13A | |
功率(Pd) | 313W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 76nC@400V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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