- 引脚图
- 焊盘图
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STP45N60DM2AG
汽车级N沟道600V, 34A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP45N60DM2AG
- 商品编号
- C2965436
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmeshTM DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷(Qrr)和恢复时间(trr),同时导通电阻(RDS(on))较低,适用于要求极高的高效转换器,是桥式拓扑和ZVS移相转换器的理想选择。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用