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L6494LD

高压、2 A 高/低端栅极驱动器

描述: 高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6494LD
商品编号: C2965455
商品封装: SO-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.312克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	85ns
	传播延迟 tpHL	85ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V~2.5V
	输入低电平(VIL)	950mV~1.45V
	静态电流(Iq)	490uA

商品概述

采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达500 V的直流电压轨，瞬态耐压为600 V。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器或DSP等控制单元接口。该器件是一款具有可编程死区时间的单输入栅极驱动器，还设有一个低电平有效关断引脚。器件的两个输出端灌电流能力为2.5 A，拉电流能力为2 A，特别适用于中大容量功率MOSFET/IGBT。上下驱动部分均设有独立的欠压锁定（UVLO）保护电路，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。集成的自举二极管以及该驱动器的所有集成特性，使应用PCB设计更简单、更紧凑，并有助于降低总体物料清单成本。

商品特性

瞬态耐压600 V，全温度范围内dV/dt抗扰度±50 V/ns
驱动器电流能力：25 ℃时典型拉电流2 A，25 ℃时典型灌电流2.5 A
短传播延迟：85 ns
带1 nF负载时，开关时间上升/下降为25 ns
集成自举二极管
单输入和关断引脚
可调节死区时间
带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
高端和低端部分均有欠压锁定（UVLO）保护
布局紧凑且简化
降低物料清单成本
设计灵活、简便、快速

应用领域

家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器
高强度气体放电（HID）镇流器
感应加热
焊接
工业逆变器
不间断电源（UPS）
电源单元DC-DC转换器

数据手册PDF

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交货周期

订货10-14个工作日

购买数量

(50个/管，最小起订量 314 个)

个

起订量：314 个50个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交4单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.5A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns