温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

L6390D

高压高端/低端驱动器

描述: L6390是一款采用BCD“离线”技术制造的全功能高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6390D
商品编号: C2965457
商品封装: SO-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.348克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	125ns
	传播延迟 tpHL	125ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.25V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.1V
	静态电流(Iq)	720uA

商品概述

这是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出分别可吸收和提供430 mA和290 mA的电流。通过互锁和可编程死区时间功能可防止交叉导通。该器件的每个输出都有专用输入引脚，还有一个关断引脚。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与控制设备接口。低端和高端部分之间的匹配延迟可确保无周期失真，并允许高频操作。 L6390集成了一个运算放大器，适用于诸如磁场定向电机控制等应用中的高级电流检测，或用于无传感器反电动势检测。该器件还集成了一个具有先进智能关断（smartSD）功能的比较器，可确保对过流、过热等故障事件进行快速有效的保护。 L6390器件还在上下驱动部分均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。集成的自举二极管以及该IC的所有集成特性使应用PCB设计更简单、更紧凑，从而降低了总体物料清单成本。该器件提供SO - 16管装和卷带包装选项。

商品特性

高达600 V的高电压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度为±50 V/nsec
驱动器电流能力：源电流290 mA，灌电流430 mA
带1 nF负载时，上升/下降时间为75/35 nsec
具有迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
集成自举二极管
用于高级电流检测的运算放大器
用于快速故障保护的比较器
智能关断功能
可调死区时间
互锁功能
紧凑且简化的布局
降低物料清单成本

应用领域

家用电器
电机驱动器 - 直流、交流、永磁直流和永磁交流电机的磁场定向控制（FOC）和无传感器反电动势检测系统
工业应用和驱动器
感应加热
暖通空调（HVAC）
工厂自动化
电源系统

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(50个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个50个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交3单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	430mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	12.5V~20V
	上升时间(tr)	75ns