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VNB35NV04TR-E
OMNIFET II：全自保护功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNB35NV04TR-E
- 商品编号
- C2965478
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 最大连续电流 | 30A | |
| 工作电压 | 36V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 13mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 短路保护(SCP) |
商品概述
VNB35NV04-E、VNP35NV04-E和VNV35NV04-E是采用VIPower M0-3技术设计的单片器件，旨在用于从直流到25 kHz应用中替代标准功率MOSFET。 内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈。
商品特性
- 仅适用于PowerSO-10封装
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD保护
- 可直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
- 与标准功率MOSFET兼容
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
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