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STW11NK90Z
1个N沟道 耐压:900V 电流:9.2A
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- 描述
- SuperMESH系列通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻应用中的良好dv/dt能力。该系列补充了高压功率MOSFET的全系列产品，包括创新的MDmesh产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW11NK90Z
- 商品编号
- C2965493
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 980mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 湿度敏感等级1级
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 能力
- 栅极电荷极小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用
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