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STFU24N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
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- 描述
- N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFU24N60M2
- 商品编号
- C2965485
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
沟槽功率低压MOSFET技术 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)） 高速开关
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 与上一代产品相比,RDS(on) x 面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC 转换器、谐振转换器