温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PD57018-E
N沟道 耐压:65V 电流:2.5A
- 描述
- 18W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- PD57018-E
- 商品编号
- C2965466
- 商品封装
- PowerSO-10
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.973克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 760mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 34.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源极配置
- 在945 MHz/28 V条件下,输出功率(POUT)为18 W,增益为16.5 dB
- 新型射频塑料封装
应用领域
- 负载开关
- SPMS