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STD80N6F7
N沟道,电流:40A,耐压:60V
- 描述
- N沟道60 V、6.8 mOhm典型值、40 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N6F7
- 商品编号
- C2965463
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SD2931-10是一款镀金的N沟道MOS场效应射频功率晶体管。它在电气性能上与标准的SD2931 MOSFET相同，适用于高达230 MHz、50 V直流的大信号应用。 SD2931-10与SD2931在机械结构上兼容，此外还具备更好的散热性能（热阻降低25%），是工业、科学和医疗（ISM）应用中同类产品里的佼佼者，在这些应用中，可靠性和耐用性是关键因素。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰(EMI)能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用