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STL47N60M6
N沟道,电流:31A,耐压:600V
- 描述
- N沟道600 V、70 mOhm典型值、31 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL47N60M6
- 商品编号
- C2965339
- 商品封装
- PowerFLAT(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.278889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 149pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，并且具备市场上针对要求严苛的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器最有效的开关特性之一。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,RDS(on) x 面积更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源极引脚,实现出色的开关性能
应用领域
- 开关应用