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STL47N60M6实物图
STL47N60M6商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STL47N60M6

N沟道,电流:31A,耐压:600V

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描述
N沟道600 V、70 mOhm典型值、31 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STL47N60M6
商品编号
C2965339
商品封装
PowerFLAT(8x8)
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V,15.5A
耗散功率(Pd)190W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.75V
栅极电荷量(Qg)52.2nC@10V
输入电容(Ciss)2.34nF
反向传输电容(Crss)3.7pF
工作温度-55℃~+150℃

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