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STB9NK80Z
汽车级N通道800V, 1.5Ω, 5.2A SuperMESH功率MOSFET
- 描述
- 汽车级N沟道800 V、1.5 Ohm典型值、5.2 A SuperMESH功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB9NK80Z
- 商品编号
- C2965391
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 和出色的雪崩特性。采用公司专有的条形技术，整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用