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M24C08-DRDW3TP/K实物图
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M24C08-DRDW3TP/K

支持 1 MHz 时钟的汽车级 8 Kbit 串行 I2C 总线 EEPROM

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描述
汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM
商品型号
M24C08-DRDW3TP/K
商品编号
C2965398
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量8Kbit
时钟频率(fc)1MHz
写周期时间(Tw)4ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命400万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);硬件写保护功能;噪声抑制功能;内置错误纠正码(ECC)功能
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃
工作电流2mA
待机电流20uA
读取访问时间(tA)450ns;900ns

商品概述

M24C08-A125是8-Kbit串行EEPROM汽车级器件,工作温度高达125℃,符合AEC-Q100等级1的可靠性标准。该器件通过简单的串行I²C兼容接口访问,最高速率1MHz。内存阵列基于真EEPROM技术,为字节可修改的内存(1024×8位),组织为64页16字节,内置错误校正码逻辑以显著提升数据完整性。该器件提供额外的识别页(16字节),可读取设备标识,也可存储敏感应用参数,之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

  • 兼容所有I²C总线模式(1MHz、400kHz、100kHz)
  • 内存阵列:8Kbits(1024字节)EEPROM,页大小16字节,额外可写锁定页(识别页)
  • 扩展温度和电压范围:-40℃至125℃,1.7V至5.5V
  • 施密特触发器输入用于噪声过滤
  • 短写入周期时间:字节写入4ms内,页写入4ms内
  • 写入周期耐久性:25℃时4百万次,85℃时1.2百万次,125℃时600k次
  • 数据保留:125℃时50年,25℃时100年
  • ESD保护(人体模型):4000V
  • 封装:RoHS兼容且无卤素(ECOPACK2®);TSSOP8(DW)宽度169 mil,SO8(MN)宽度150 mil,WFDFPN8(MF)尺寸2×3mm

数据手册PDF