温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD44N4LF6
1个N沟道 耐压:40V 电流:44A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道40 V、8.9 mOhm、44 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD44N4LF6
- 商品编号
- C2965394
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术和知名的PowerMESH™水平布局的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平驱动
应用领域
-开关应用-汽车领域