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STY112N65M5
N通道,电流:96A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道650 V、0.019 Ohm典型值、96 A MDmesh M5功率MOSFET，Max247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY112N65M5
- 商品编号
- C2965377
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
AO4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关应用