VNB10N07-E
商品参数
参数完善中
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新的M6技术，在MDmesh前代产品的基础上进行升级，该技术不仅显著改善了单位面积的导通电阻RDS(on)，还具备出色的开关性能，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- 静电放电(ESD)保护
- 直接接入功率 MOSFET 的栅极(模拟驱动)
- 与标准功率 MOSFET 兼容
- 过压钳位保护:内部设置为 70V,结合功率 MOSFET 级的坚固雪崩特性,使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。
- 线性电流限制电路:无论输入引脚电压如何,均可将漏极电流 Id 限制为 Ilim。
- 过温和短路保护:基于芯片温度感应,且不依赖于输入电压。过温关断在最低 150°C 时发生。当芯片温度降至 135°C 以下时,器件自动重启。
- 状态反馈:在出现过温故障时,通过输入引脚提供状态反馈。
- 符合人体模型的 ESD 保护
- 能够由 TTL 逻辑电路驱动(RDS(on) 会略有增加)
应用领域
- 开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器