VNB10N07-E

VNB10N07、VNK10N07FM、VNP10N07FI 和 VNV10N07 是采用 VIPower M0 技术制造的单片器件,旨在用于直流至 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压钳位功能,可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压,可检测故障反馈。

• 线性电流限制
• 热关断
• 短路保护
• 集成钳位
• 输入引脚电流消耗低
• 通过输入引脚进行诊断反馈
• 静电放电(ESD)保护
• 直接接入功率 MOSFET 的栅极(模拟驱动)
• 与标准功率 MOSFET 兼容
• 过压钳位保护:内部设置为 70V,结合功率 MOSFET 级的坚固雪崩特性,使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。
• 线性电流限制电路:无论输入引脚电压如何,均可将漏极电流 Id 限制为 Ilim。
• 过温和短路保护:基于芯片温度感应,且不依赖于输入电压。过温关断在最低 150°C 时发生。当芯片温度降至 135°C 以下时,器件自动重启。
• 状态反馈:在出现过温故障时,通过输入引脚提供状态反馈。
• 符合人体模型的 ESD 保护
• 能够由 TTL 逻辑电路驱动(RDS(on) 会略有增加)

• 开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器