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STL36DN6F7
双N沟道,电流:33A,耐压:60V
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- 描述
- 双路N沟道60 V、0.023 Ohm典型值、36 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL36DN6F7
- 商品编号
- C2965328
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFETTM F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,不仅可实现极低的导通电阻,还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的 RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用