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STL11N3LLH6
1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- N沟道30 V、6 mOhm典型值、11 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL11N3LLH6
- 商品编号
- C2965326
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新性功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用