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FH8712BG2
N沟道增强型功率MOSFET,电流:7.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8712BG2
- 商品编号
- C2928995
- 商品封装
- TDFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
FH2045系列采用创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 7.8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 13.5mΩ(最大值)
- 当栅源电压VGS = 3.8V时,导通电阻RDS(ON) < 14.5mΩ(最大值)
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 16mΩ(最大值)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关