温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH8805
N沟道增强型功率MOSFET,电流:11A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8805
- 商品编号
- C2929000
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.767nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH8712A1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 7.8 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 14.5 mΩ（最大值）
- 当栅源电压VGS = 3.8 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ（最大值）
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 18.5 mΩ（最大值）
- ESD等级：2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关