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FH8805
N沟道增强型功率MOSFET,电流:11A,耐压:20V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8805
- 商品编号
- C2929000
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.767nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 11A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 7.2 mΩ(最大值)
- 当VGS = 3.7V时,RDS(ON) < 8.2 mΩ(最大值)
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 10.2 mΩ(最大值)
- 快速开关
- 内置G - S ESD保护二极管
- 提供环保器件
- DFN2x3封装设计
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关