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FH8200
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 1.8V 的栅极电压下工作。适用于用作负载开关或 PWM 应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8200
- 商品编号
- C2929001
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
FH8712K2采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 7.5 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 14 mΩ（最大值）
- 在VGS = 3.8 V时，RDS(ON) < 15 mΩ（最大值）
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 17 mΩ（最大值）
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关