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FH4811
N沟道增强模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- FH4811系列采用先进功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。对于所有采用红外回流焊技术的商业和工业表面贴装应用，SO - 8封装是广泛首选的封装形式，适用于电压转换或开关应用
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4811
- 商品编号
- C2929012
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
FH3401B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -4.2 A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 45 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 53 mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 72 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合无铅标准
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理