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FH3080G
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3080G
- 商品编号
- C2929020
- 商品封装
- PDFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH38P03G6是采用沟槽技术、塑料封装（PDFN3.3x3.3-8L）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- VDS = -30V；ID = -38A
- RDS(ON)（典型值） = 8.5 mΩ @VGS~~- 10V
- RDS(ON)（典型值） = 11 mΩ @VGS~~- 4.5V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装（PDFN3.3x3.3-8L）
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关
- DC-DC转换器
- 锂离子电池