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FH8904G6
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：表面贴装封装。 先进的沟槽单元设计。 BV ≥ 30 V。 Ptot ≤ 25 W。 RDS(ON) = 8.5mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V。应用：电机电器。 高功率逆变器系统
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8904G6
- 商品编号
- C2929014
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.145nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |