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FH3080K
N沟道增强型功率MOSFET 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V，ID = 80A。 RDS(ON) < 6.5mΩ @VGS = 10V。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 5V。应用：功率开关应用。 负载开关
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3080K
- 商品编号
- C2929019
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
FH3060G6采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- FH3080K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时,导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关
- 不间断电源