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FH3030G6
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3030G6
- 商品编号
- C2929016
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.099克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.145nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GL8P04采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用。其封装形式为SOT - 23 - 3L，符合RoHS标准。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 33 mΩ（典型值23 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源