温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH2045D
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH2045D
- 商品编号
- C2929005
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 625pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道30 V（D - S）MOSFET。PowerPAK是围绕SO - 8封装开发的新型封装技术，PowerPAK SO - 8与标准SO - 8具有相同的占位面积和引脚输出，可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，它利用整个SO - 8占位面积，能容纳比标准SO - 8更大的芯片。芯片附着垫底部暴露，可提供直接、低电阻的热路径到设备安装的基板。且封装高度低于标准SO - 8，适合空间受限的应用。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑核心
- 低端
- 电压调节模块
- 负载点