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FH3415C+
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V;ID = -4.2A。RDS(ON)(Typ.) = 35mΩ @VGS = -4.5V。RDS(ON)(Typ.) = 40mΩ @VGS = -2.5V。沟槽技术。快速开关。高功率和电流处理能力。应用：低开关。DC DC转换器
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415C+
- 商品编号
- C2929006
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -4.2A
- RDS(ON)(典型值)= 35 mΩ @VGS=-4.5V
- RDS(ON)(典型值)= 40 mΩ @VGS=-2.5V
- 沟槽技术
- 快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 贴片封装(SOT-23)
- 符合 MSL-3 标准
应用领域
- 低电压开关
- DC-DC 转换器
- 锂离子电池保护