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FH4812
双N沟道,电流:10A,耐压:30V
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- 描述
- 采用创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。SO-8封装广泛适用于所有使用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用，适用于电压转换或开关应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4812
- 商品编号
- C2929011
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
FH3415G+采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 10A
- RDS(ON) < 11.5 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) < 18 mΩ(最大值)@ VGS = 4.5 V
- 驱动要求简单
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 快速开关性能
- 符合RoHS标准且无卤
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
- PWM应用
- 负载开关