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FH3415D
1个P沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 是采用沟槽技术的塑料封装（SOT-23-3L）P沟道增强型MOSFET。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415D
- 商品编号
- C2929008
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品概述
FH8812采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 8.2 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON)（典型值） = 9.4 mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON)（典型值） = 11 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 开关速度快
应用领域
- PWM应用
- 负载开关