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FH2050D
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH2050D
- 商品编号
- C2929004
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.463克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
FH6880A是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。其强大的EAs能力和超低的漏源导通电阻（RDS(ON)）适用于PWM、负载开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V；漏极电流（ID） = 80 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
- 超低导通电阻
- 高UIS且UIS 100%测试
应用领域
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源