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FH8707G3
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 描述
- FH8707G3采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8707G3
- 商品编号
- C2929002
- 商品封装
- TDFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.108克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 254pF |
商品概述
N沟道30 V（D - S）快速开关MOSFET，PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同封装技术以最大化芯片面积。芯片底部的连接垫暴露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO - 8的优势转化到更小的封装中，具有相同的热性能水平。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP - 8相比，可使结温降低，芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212 - 8与单双PowerPAK SO - 8使用相同的引脚输出，1.05 mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 12A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 7.9 mΩ
- 当VGS = 3.8V时,RDS(ON) < 8.3 mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 9.8 mΩ
- ESD等级:2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关