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FH8838G3
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- FH8838G3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8838G3
- 商品编号
- C2929003
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 352pF |
商品概述
7580D是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。其出色的EAS能力和极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）适用于PWM、负载开关，尤其适用于电动自行车控制器应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 75 V；栅源电压（VGS） = 10 V时，漏极电流（ID） = 86 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ
- 专为电动自行车控制器应用设计
- 极低的导通电阻
- 高UIS且UIS 100%测试
应用领域
- 64V电动自行车控制器应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源