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FH8812
1个N沟道 耐压:20V 电流:8.2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8812
- 商品编号
- C2928998
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 188pF |
商品概述
FH8809A是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷性能。
商品特性
- 超高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 坚固可靠
- 表面贴装封装
- 静电放电（ESD）等级：人体模型（HBM）2000V
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关