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FH8809A
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8809A
- 商品编号
- C2928999
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 189pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进沟槽单元设计
应用领域
- 电机设备
- 高功率逆变器系统