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FH8712A1
N沟道,电流:7.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8712A1
- 商品编号
- C2928996
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@3.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
FH3415D是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23-3L）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 7.8 A
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 14.5 mΩ(最大值)
- 当栅源电压VGS = 3.8 V时,导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ(最大值)
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 18.5 mΩ(最大值)
- ESD等级:2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关